|
|
|
|
Оперативная память (RAM)
– Random
Access
Memory –
память с произвольным доступом.
Отличительная особенность этой памяти –
быстродействие и энергозависимость.
Любая оперативная память
представляет собой таблицу, состоящую из
столбцов и строк. В каждой ячейке таблицы
находится единственное значение (0 или 1). По
принципу действия вся память делится на две
большие группы: DRAM
и SRAM. DRAM
(Dynamic
RAM) –
динамическая оперативная память Каждая ячейка такой памяти
состоит из малого числа элементов (конденсатор
и несколько транзисторов). Основой ячейки
является конденсатор, уровень заряда (высокий
– низкий) которого говорит о значении,
находящемся в ячейке. Так как конденсаторы
имеют очень малые размеры, заряд с них
постоянно стекает, следовательно,
необходимо очень часто этот заряд
восстанавливать – проводить регенерацию.
Регенерация производится контроллером
памяти. Из всего этого следует, что при
исчезновении напряжения все данные будут
потеряны. Основные типы DRAM: 1. FPM
DRAM – Fast
Page
Mode
DRAM
– динамическая память, работающая в
режиме ускоренного страничного обмена. Так
как память представляет собой табличную
структуру, то при адресации
памяти сначала указывается строка и после
этого столбец. В режиме ускоренного
страничного обмена при адресации первой
ячейки указывается и трока, и столбец. При
адресации следующих нескольких ячеек
строка остается той же, столбцы же идут по
порядку. А так как строку указывать не надо,
то на адресацию этих ячеек тратится меньше
времени. Обычно адресацию обозначают
формулой. Для FPM
DRAM
формула: 6-3-3-3. Это значит, что на адресацию
первой ячейки тратится 6 тактовых циклов.
Три следующие ячейки адресуются в два раза
быстрее. Параметры памяти данного типа: -
частота 33 МГц -
время доступа 50 нсек -
питание памяти
5 В 2.
EDO DRAM – Extended Data Out DRAM Как и FPM
DRAM она
работает в режиме ускоренного страничного
обмена. Основной ее особенностью является
возможность считывания ячейки памяти во
время обращения к следующей ячейке. Это
значит, что в то время как одна ячейка еще не
успела считаться, идет подготовка к
считыванию следующей, то есть новый цикл
обращения к памяти начинается до
завершения предыдущего. Параметры памяти: -
формула: 6-2-2-2 -
частота 66 МГц -
время доступа 60-70нсек -
питание 5 В, 3.3 В 3.
SDRAM – Synchronous DRAM Это тип динамической памяти,
работа которого синхронизирована с шиной
памяти. В результате этого нет
необходимости в циклах ожидания,
необходимых для асинхронной памяти. Память
этого типа изготавливалась в виде 168-pin
модулей. Параметры: -
формула: 5-1-1-1 -
частота 66-100 МГц -
питание
3.3 В 4.
DDR SDRAM – Double Data Rate SDRAM Синхронная память с удвоенной
скоростью передачи данных по сравнению с
обычной SDRAM.
Удвоенная пропускная способность
достигается за счет работы на обеих
границах тактового сигнала (на подъеме и
спаде). Разрядность шины – 64 бит. DDR
SDRAM
изготавливалась в виде 184-pin
модулей. Параметры памяти: -
частота 533 МГц -
питание 2.5 В 5.
DDR2 SDRAM Новый вид памяти, используемый в
видеокартах. Модули – 240-pin. Параметры памяти: -
частота 400 МГц -
питание 1.8 В 6. RDRAM
– Rambus
DRAM Модули памяти 16-разрядные, 184-pin
необходимо устанавливать парами для работы
на 32-разрядной шине. Существуют так же модули 32-разрядные,
232-pin. Их
можно устанавливать нечетным количеством. -
частота 800 МГц (PC800),
1066 МГц (РС1066) -
пропускная способность 1.6 ГБ/сек -
питание
2.5 В 7.
Rambus XDR – Rambus eXtreme Data Rate Этот вид памяти пока не
выпускается массово. Параметры: -
шина памяти 128 бит -
частота 3.2 и 6.4 ГГц -
пропускная способность до 100 ГБ/сек SRAM
(Static
RAM) –
статическая оперативная память
|
|
|
